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半导体材料严重依赖进口 国产化替代前景可期

时间:2017-08-21 编辑:Try

   DRAM、储存型快闪记忆体(NANDFlash)及编码型快闪记忆体(NORFlash)三大记忆体会一直缺货到明年,许多客户抢货,已包下南亚科、旺宏和华邦电全部产能。业者指出,未签订长约的客户,记忆体供货将短缺,冲击产品上市或出货时程。

  集邦、ICInsight等研究机构最近纷纷出具报告,强调DRAM、NANDFlash到年底都处于缺货状态;NORFlash更因美系二大供应商淡出效应在下半年显现,缺货问题更严重。

  业者表示,三大记忆体应用范围广,尤其NORFlash几乎是各电子产品储存程式码关键元件,虽然单价远比DRAM和NANDFlash低,但没它不行。

  三大记忆体今年创下历年最缺且涨势最久纪录,同时缺货更是以前没有的情况。随苹果新手机即将上市,三大记忆体优先供货给苹果,非苹阵营也积极备货,业者预期,三大记忆体下半年缺货比上半年更严重。

  法人分析,DRAM、NAND/NORFlash三大记忆体同缺,台厂拥有产能的南亚科、华邦电和旺宏到年底的产能已全数被抢订一空,三家厂商正积极去瓶颈,提升产出,抢食缺货商机。

  南亚科目前在林口有二座12吋厂,其中3A厂30纳米制程产品,有90%都是在美光科技技术基础上自行研发设计;全新的3An厂,今年导入20纳米制程后,5月取得客户验证,提前在今年第2季量产,目前良率相当好,预定今年底单月投片量达3万片。

  华邦电目前月产能约4.3万至4.4万片,预料年底可增至4.8万片,希望明年中后再增加到5.2万至5.3万片,但估到5.5万片时,中科厂就全数满载。华邦电强调,新增产能将全数生产NORFlash及部分NANDFlash,希望未来Flash产出量与DRAM相近。

  华邦电本月除息0.6元,除息参考价17.6元,短短几日完成填息,上周五(17日)再登上20.1元波段新高。

手机厂商包了下半年存储产能 缺货将加剧

  存储下半年将持续涨价?

  DRAM供需吃紧,价格走高的态势有望延续到下半年,包括PC、商用NB、伺服器与手机的相关需求都颇为强劲,业者认为,第2季会延续涨价趋势,今年下半年需求将会更旺,因此第3季旺季的价格也可望持稳。

  至于第4季的DRAM价格情况,业者评估,某程度取决于NANDFlash端的供需是否改善,若3DNANDFlash新产品顺利大量产出,缺货现象明显纾解,甚至出现过剩现象,同时生产DRAM与NANDFlash的原厂,可能调配资本支出,转往投注在DRAM。

  研调机构集邦科技指出,4、5月为所有终端产品需求动能偏弱的期间,因为第1季来自中国农历春节的需求刚过,而第3季末的返校潮、第4季的西方节庆备货需求也尚未来临,所以整体DRAM需求有稍微放缓的迹象。但PCOEM大厂仍预估今年DRAM都呈现供货吃紧的状态,并积极在下半年的旺季需求来临前,增加DRAM库存水位。

  集邦也表示,在供给端由于制程转进20纳米以后,良率提升不易,且在今年各厂未有重大产能开出的前提下,整体DRAM供给成长不易,今年DRAM价格将维持上升格局。

  另外,根据集邦的资料显示,去年全球智能手机的平均记忆体容量约为2.4GB,今年在LPDDR4成为主流应用的力道带动下,原本有望大幅成长,但移动记忆体价格涨势猛烈,导致搭载量的成长动能受压抑,预估今年智能手机移动记忆体平均单机搭载量,将自原估计的3.7GB,下修至约3.2GB,与去年相较,仅成长33.4%。

  目前智能手机市场竞争相当激烈,而记忆体涨价使得厂商成本结构压力更为加重,连苹果也不见得可以全然忽视。集邦指出,由于DRAM供不应求的状况估计将延续一整年,苹果为考量成本及避免供应链管理困难,新一代iPhoneAMOLED款记忆体搭载量设定在3GB,而LCD两款分别维持在5.5吋机型搭载3GB,4.7吋机型搭载2GB,搭载4GB机种预估要等到2018年才会问世。

  存储虽然持续涨价,但下半年开始修正

  Gartner表示,自2016年中期以来,随着NANDFlash的涨价,SSD的每位元组的成本也出现了惊人上涨。不过,这种上涨趋势将在本季达到顶峰。其原因在于中国厂商大量投入生产的结果,在产能陆续开出后,市场价格就一反过去的涨势,开始出现下跌的情况。

  Gartner进一步指出,中国曾在2014年表示,将在未来10年内花费1,500亿美元来扩大半导体产能。而在大量中国制造的NANDFlash涌入市场之后,势必会缓解当前供不应求的情况,价格下降也就成了必然。Gartner预估,NANDFlash方面,2017年第2季将会开始呈现反转,使得全球NANDFlash和SSD的价格会在2018年出现明显下滑,并在2019年重新陷入一个相对低点。

  不过,在NANDFlash降价的基础下,Gartner却不认为消费者能够买到更加便宜的智慧型手机等终端产品。因为厂商会藉由其他的方式来保证自己的利润。例如苹果,该公司将在其最新推出的iPhone8系列智慧型手机上只提供了32GB、128GB和256GB三种存储容量。而由于iOS10以及高画质内容对储存容量需求,显然更多的消费者会选择128GB和256GB机型,这也确保了苹果的利润。

  除了在NANDFlash降价趋势似乎已经确定之外,在DRAM方面,也预期将在2017年下半年随着供给增加,产品价格也将逐渐下滑,使得DRAM市场产生无可避免的周期性修正。

  根据市场调查机构ICInsights表示,看好DRAM价格涨势可望延续到2017年上半年。只是ICInsights认为,DRAM在经过1年大幅上扬之后,随着下半年供应将增加,产品价格恐将下滑,展开周期性修正。

  ICInsights表示,DRAM价格自2016年中以来快速走高。根据统计,DRAM平均售价已自2016年4月的2.41美元,大幅攀高到2017年2月的3.7美元,涨幅高达至54%。而在产品价格大涨带动下,ICInsights预估,2017年DRAM产值可望达573亿美元规模,将较2016年成长达39%。

  另外,ICInsights预期,DDR4规格的DRAM产品比重在2016年窜升至45%之后,2017年时的比重更可望进一步突破50%的大关,达到58%的比例,成为未来DRAM市场主流产品。

  ICinsights同时指出,全球记忆体下半年价格上涨动能可能减缓,包含DRAM与NAND快闪记忆体均是如此。

  尽管涨势减缓,但DRAM与NAND今年营收预料仍将创新高记录,这完全都是拜先前平均售价快速上涨之赐。以DRAM为例,DRAM平均售价今年预估年涨幅高达63%,此为1993年有纪录以来之最。

  记忆体价格从去年第三季起涨,ICinsights预期动能可能持续至2017年第三季,第四季可能微幅转负,为这波正向循环划下休止符。

  ICinsights指出,随着价格走扬,记忆体制造商也再次增加资本投资,但多数不是扩充产能,而是开发更先进技术,如今年有关于快产记忆体的投资,几乎全数投入3DNAND技术的开发。

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