安森美半导体(ONSemiconductor)针对资讯网路、电信和工业应用推出新的高能效单N型通道功率金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)系列，进一步扩大其产品阵容。

　　这些元件能提供低传导电阻RDS(on)值，从而将传导损耗降至最低并提升整体工作效能。它们还有低至2164皮法(pF)的门极电容(Ciss)，以确保尽可能保持低驱动损耗。

　　安森美半导体新的NTMFS5C404NLT，NTMFS5C410NLT和NTMFS5C442NLT MOSFET额定击穿电压为40伏(V)，最大传导电阻值(Vgs为10V时)分别为0.74毫欧姆、0.9毫欧姆和2.8毫欧姆，连续漏电流分别为352安培(A)、315A和127A。

　　与这些元件相辅相成的NTMFS5C604NL，NTMFS5C612NL和NTMFS5C646NL，额定击穿电压60V，最高导通电阻分别为1.2毫欧姆、1.5毫欧姆和 4.7毫欧姆，而相关的连续漏电流为287A、235A 和93A。40V和60V的这两种器件的额定工作接面温度都高达175。C，从而为工程师的设计提供更大的热余裕。安森美半导体将推出采用更多的电阻值和不同的封装，如micro8FL、DPAK和TO220来扩大此产品线。

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