1、引起LED芯片失效的因素主要包括：静电、电流和温度

　　静电放电可释放瞬间超高电压，给LED芯片带来很大的危害，ESD导致的LED芯片失效分为软失效和硬失效两种模式。由静电带来的高电压/电流导致LED芯片短路成为硬失效模式。LED芯片短路的原因是过高的电压使电解质破裂，或者过高的电流密度是芯片中产生电流通路。

　　静电释放稍微低一些的电压/电流会导致LED芯片的软失效。软失效通常伴随着芯片反向漏电流的减小，这可能是由于高反向电流使一部分漏电流的路径消失引起的。相比于垂直LED芯片，静电对水平LED芯片的危害较大。因为水平LED芯片的电极在芯片同一侧，静电产生的瞬间高电压更容易使芯片上的电极短路，从而引起LED芯片失效。

　　大电流也会带来LED芯片的失效：一方面大电流会带来比较高的结温;另一方面，具有高动力能的电子进入了PN结会使Mg-H键和Ga-N键断裂。Mg-H键的断裂会进一步激活p层的载流子，使LED芯片在老化开始时有一个光功率上升阶段，而Ga-N键的断裂会形成氮空位。氮空位增加了非辐射复合的可能性，从而解释了器件的光功率的衰减。氮空位的形成要达到平衡时一个很漫长的过程，这是LED芯片缓慢老化的主要原因。

　　温度对LED芯片的影响主要是使内量子效率降低和LED芯片寿命变短。这是因为内量子效率是温度函数，温度越高内量子效率越低，同时，温度对材料的老化作用会使欧姆接触和LED芯片内部材料的性能变差。另外，高的结温使得芯片内温度分布不均匀，产生应变，从而降低内量子效率和芯片的可靠性。热应力大到一定程度，还可能造成LED芯片破裂。

　　2、引起LED封装失效的因素主要包括：温度、湿度和电压

　　目前，研究的最为深入和广泛的是温度对LED封装可靠性的影响。温度使LED模块及系统失效的原因在于以下几个方面：

　　(1)高温会使封装材料降解加快、性能下降;

　　(2)结温对LED的性能会产生很大的影响。过高的结温会使荧光粉层烧黑碳化，使得LED光效急剧降低或造成灾难性失效。另外，由于硅胶和荧光粉颗粒之间的折射率和热膨胀系数不匹配，过高的温度会使荧光粉的转换效率下降，并且掺的荧光粉比例越高，光效下降的越厉害;

　　(3)由于封装材料之间热传导系数的不匹配，温度梯度和温度分布的不均匀，材料内部可能产生裂纹或者在材料之间界面产生脱层。这些裂纹及脱层都会引起光效下降，芯片、荧光粉层之间的脱层可使取光效率下降，荧光粉层与灌封硅胶之间的脱层最高可使取光效率下降20%以上。硅胶与基板之间的脱层甚至有可能导致金线断裂，造成灾难性失效。

　　通过有关高湿环境实验研究发现，湿气的侵入不但使得LED光效下降，而且有可能导致LED的灾难性失效。通过85℃/ 85%RH高温高湿可靠性加速实验研究发现，湿气在分层缺陷的形成中起着重要的作用，分层现象的产生使得LED的光效下降，不同芯片表面粗糙不同导致了不同的失效模式。