日前，内存控制芯片大厂群联董事长潘健成表示，目前NAND Flash芯片需求相当强劲，加上主要厂商大多表示，未来3年产能仍无法满足市场需求的情况下，预期2017年第3季NAND Flash会比2017年第1季还缺货，可能会是史上最缺货一季。外资也表示，因为未来新款手机内建储存容量不断提高，2017年NAND Flash缺货的情况将不易缓解。

　　在推动NAND Flash需求上涨的诸多原因中，手机内建存储容量的增加确实是重要关键。随着目前行动App体积越来越大，部分手机游戏的大小已不比单机游戏小。

　　加上实时通讯软件快速发展，包括聊天纪录、语音通话、图片档案等，都让手机内建储存需求直线上升。从之前的16GB/32GB，一跃到目前的32GB/64GB内建储存容量，导致NAND Flash需求翻倍上涨，更别说很多高阶手机的内建储存容量直接达128GB，都让NAND Flash市场供货更吃紧。

　　2017年秋季，苹果即将发表的新一代iPhone系列手机中，大家最关注的就是所谓10周年纪念版。因为，除了搭配OLED屏幕、无线充电、高屏幕占比等卖点，据称储存容量也会大幅增加以符合其地位，故起步容量就达128GB，相较目前32GB的起步容量要大得多。如此不但大幅增加市场需求，加剧NAND Flash的缺货问题;在市场需求不断提升，产能又跟不上的情况下，2017年NAND Flash的供货吃紧恐将难以纾解。

　　NAND Flash控制芯片大厂群联董事长潘健成指出，NAND芯片需求相当强劲，主要厂商大多表示未来三年产能仍无法满足市场需求，预期今年第三季NAND Flash会比今年第一季还缺货，可能会是史上最缺货的一季。

　　潘健成表示，随着许多人口密度高国家升级智能型手机，云端影像储存需求持续大量成长，因应各项影音需求的数据中心和服务器持续增长，使NAND Flash的需求增长速度快到令人无法想象，但3DNAND Flash在制程从32层切入到64奈米、再到72层、甚至96层的过程中，良率拉升速度在未来仍会遭遇诸多挑战，预期今年第三季缺货更会比第一季还严重。本季NAND Flash价格虽然小幅下滑，但只是通路商见涨幅过大而获利抛货的短暂现象，预期这波NAND Flash价格将在6月下旬止稳后，再度出现急涨，厂商若手中没有充裕货源，将受到不小的冲击。