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国内第一家,中微半导体7nm制程蚀刻设备被台积电相中

时间:2017-07-19 编辑:Try

   因 10nm 制程遭遇前所未有的挑战,故全球半导体产业纷纷将重要资源投入在 7nm 制程上,台积电、三星、GlobalFoundries、英特尔均已开始布局。据台媒报道,目前台积电的 7nm 布局最积极,近期台积电更是转变了 7nm 制程设备的采购策略,将应用材料( Applied Materials )、科林研发( LAM ) 、东京威力科创( TEL )、日立先端( Hitach )、中微半导体 5 大设备商均纳入采购名单,致力平衡 7nm 制程设备商生态价格。

  值得注意的是,中微半导体是唯一进入台积电 7nm 制程蚀刻设备的大陆本土设备商。据悉,中微与台积电在 28 nm 制程时便已开始合作,并一直延续到 10 nm 制程,以及现在的 7nm 制程。未来,中微也将与台积电跨入下一世代 5nm 合作。此外,中微也将与联电展开 14 nm 工艺制程的合作。

  为符合大陆半导体设备国产化的政策目标,2016年,有两家大陆半导体设备商获得国家集成电路产业基金(大基金)投资。其中一家便是中微半导体,获得 4.8 亿元投资;另一家是上海微电子设备(SMEE)。

  今年4月,中微半导体 CEO 尹志尧在公共场合表示,目前中微半导体在全球各地已经建置共计 582 台刻蚀反应台,并预期今年将增长至 770 台。目前中微半导体产品已经进入第三代 10nm、7nm 工艺,并进入晶圆厂验证生产阶段,即将进入下一世代 5nm、甚至 3.5 nm 工艺。

  据尹志尧透露,过去几年公司销售维持 30-35% 增长率,预期 2017 年增长率将达到 80% 。2017年,中微销售将达 11 亿元人民币,在此基础上,未来十年将持续开发新产品,扩大市场占有率,中微的目标是:2020 年 20 亿元、2050 年 50 亿元,并进入国际五强半导体设备公司。

  目前,中微有 460 多个介质刻蚀反应台,并在海内外 27 条生产线上生产了约 4000 多万片晶圆;同时,中微还开发了 12 英寸的电感型等离子体 ICP 刻蚀机;此外,中微还开发了 8 英寸和 12 英寸 TSV 硅通孔刻蚀设备,不仅占有约50%的国内市场,而且已进入台湾、新加坡、日本和欧洲市场,尤其在 MEMS 领域拥有意法半导体(ST)、博世半导体(BOSCH) 等国际大客户。

  在专利方面,中微共申请了超过800件相关专利,其中绝大部分是发明专利,目前有一半以上已获授权。

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