二极管当然分大小了，功率，电压，电流，频率都不同了，还根据功能和作用有很多种不同分类，这些都需要查手册来选型使用的， 简单的比较两种的话，可以看封装尺寸 ，体积越大电流越大 (耐压不一定)，带散热片的比没有散热的大。

 　　南电森美主营二三极管，从事电子元器件行业已经十多年了，每一片元器件均通过正规报关，并可追溯原厂。现在主要代理分销KEC、HTC-KOREA、MAPLESEMI、ON、ST、VISHAY、CN等国内外品牌，原装正品。下面就来介绍几个常用二极管大小，体积，电流的问题。

　　1、整流二极管

　　就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型，因此结电容较大，一般为3kHZ以下。最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。

　　2、开关二极管

　　二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关;在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。

　　有在小电流下(10mA程度)使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用;2CK型平面接触为高速开关电路用;用于开关、限幅、钳位或检波等电路;肖特基(SBD)硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。

　　3、变容二极管

　　用于自动频率控制(AFC)和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压， ;使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。

　　4、稳压二极管

　　这种管子是利用二极管的反向击穿特性制成的，在电路中其两端的电压保持基本不变，起到稳定电压的作用。是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压(又称齐纳电压)从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW、2CW56等;将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。

　　稳压二极管的温度系数α：α表示温度每变化1℃稳压值的变化量。稳定电压小于4V的管子具有负温度系数(属于齐纳击穿)，即温度升高时稳定电压值下降(温度使价电子上升较高能量);稳定电压大于7V的管子具有正温度系数(属于雪崩式击穿)，即温度升高时稳定电压值上升(温度使原子振幅加大，阻碍载流子运动);而稳定电压在4~7V之间的管子，温度系数非常小，近似为零(齐纳击穿和雪崩击穿均有)。

　　5、肖特基二极管 (Schottky Barrier Diode)

　　它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

　　可作为续流二极管，在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。

　　6、瞬变电压抑制二极管

　　TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率(500W-5000W)和电压(8.2V～200V)分类。

　　7、发光二极管

　　用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿、蓝单色光。随着技术的进步，近 来 研制成了白光高亮二极管，形成了LED照明这一新兴产业。 还用于VCD、DVD、计算器等显示器上。